FGA60N65SMD Transistor IGBT 650V 60A 300W TO3P

FGA60N65SMD de ON Semiconductor

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Características

Transistor FGA60N65SMD TO3P

  • Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Tipo de transistor IGBT
  • Tensión colector-emisor 650V
  • Corriente de colector 60A
  • Poder disipado 300W
  • Carcasa TO3P
  • Tensión entrada - emisor ±20V
  • Corriente de colector en impulso 180A
  • Carga de puerta 284nC

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