FGA25N120 Transistor IGBT 1200V 25A 125W TO3PN

FGA25N120 de ON Semiconductor

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FGA25N120ANTDTU Transistor IGBT 1,2kV 25A 125W TO3PN

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Características

Transistor FGA25N120ANTDTU IGBT 200V 25A 125W TO3PN

  • Tipo de transistor IGBT
  • Tensión colector-emisor 1.200V
  • Corriente de colector 25Amp   
  • Poder disipado 125W
  • Carcasa TO3PN
  • Tensión entrada - emisor ±20V
  • Corriente de colector en impulso 90A
  • Carga de puerta 200nC

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