Transistor HGTP20N60A4 IGBT 600V 70A 290W TO220

HGTP20N60A4 de ON Semiconductor

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HGTP20N60A4 Transistor IGBT 600V 40A 290W TO220-3

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Características

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:

  • Fabricante ON SEMICONDUCTOR
  • Tipo de transistor IGBT
  • Tensión colector-emisor 600V
  • Corriente de colector 40A
  • Poder disipado 290W
  • Carcasa TO220-3
  • Tensión entrada - emisor ±20V
  • Corriente de colector en impulso 280A
  • Carga de puerta 210nC

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