Transistor GBT 600V 70A 190W TO247-3 HGTG20N60A4D

20N60A4D de ON Semiconductor

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HGTG20N60A4D Transistor IGBT 600V 40A 190W TO247-3

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Características

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:

  • Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Tipo de transistor IGBT
  • Tensión colector-emisor 600V
  • Corriente de colector 40A
  • Poder disipado 190W
  • Carcasa TO247-3
  • Tensión entrada - emisor ±20V
  • Corriente de colector en impulso 280A
  • Carga de puerta 210nC

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Transistor GBT 600V 70A 190W TO247-3 HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D Transistor IGBT 600V 40A 190W TO247-3

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