2SA1358 Transistor

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2SA1358 TOSHIBA Transistor Silicon PNP

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Características
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
  • Transistor Silicon PNP
  • Tipo epitaxial
  • Aplicaciones amplificador de potencia
  • Complementario a 2SC3421 
  • Adecuado para controlador de 60 a 80 vatios
  • Tensión base del colector VCBO − 120 V
  • Tensión del colector-emisor VCEO − 120 V
  • Tensión base del emisor VEBO − 5 V
  • Corriente del colector IC − 1 A
  • Corriente base IB − 100 mA Ta = 25 ° C 1.5
  • Disipación de potencia 10 W
  • Temperatura de almacenamiento − 55 a 150 ° C

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