GT30J121Q Transistor IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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GT30J121(Q) TOSHIBA
Transistor IGBT 600V 30A 170W capsula TO3PN
Transistor GT30J121Q TO3PN
- Fabricante TOSHIBA
- Tipo de transistor IGBT
- Tensión colector-emisor 600V
- Corriente de colector 30A
- Poder disipado 170W
- Carcasa TO3PN
- Tensión entrada - emisor ±20V
- Corriente de colector en impulso 60A
- Tiempo de conexión 240ns
- Tiempo de desconexión 430ns
