Transistor IRF1404PBF TO220AB
- Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
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Tipo de transistor N-MOSFET
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Tecnología HEXFET®
- Tensión drenaje-fuente 40V
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Corriente del drenaje 162A
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Poder disipado 200W
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Carcasa TO220AB
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Tensión puerta-fuente ±20V
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Resistencia en estado de transferencia 4mΩ
- Carga de puerta 160nC